Fenomene de neechilibru in semiconductori

DOWNLOAD REFERAT

Preview referat: Fenomene de neechilibru in semiconductori

Viteza de generare sau rata de generare reprezinta in general numarul de purtatori generati in unitatea de timp si in unitatea de volum a semiconductorului. Totusi concentratiile electronilor si golurilor nu cresc in mod continuu prin generare termica, deoarece pe langa procesul de generare are loc permanent si un proces invers numit recombinarea purtatorilor cu vitezele de recombinare rp pentru goluri si rn pentru electroni.

Viteza de recombinare reprezinta numarul de purtatori care se recombina in unitatea de timp in unitatea de volum a semiconductorului prin revenirea electronilor din banda de conductie in banda de valenta sau pe nivelele donoare, unde se recombina cu golurile existente. La echilibru termic, cand concentratia electronilor n0 si cea a golurilor p0 raman constante, cele doua procese de generare si recombinare se compenseaza reciproc si ca atare, vitezele de recombinare si generare pentru electroni si respectiv pentru goluri devin egale:

Pe langa generarea termica a purtatorilor de sarcina de echilibru, in semiconductori pot aparea si purtatori de sarcina de neechilibru sub actiunea unor factori perturbatori cum sunt radiatiile electromagnetice sau nucleare, campurile electrice intense si injectia de purtatori.
Abaterile de la echilibru, i « mai multe referate din Fizica