Polarizarea tranzistoarelor cu efect de camp

7x puncte

categorie: Fizica

nota: 10.00

nivel: Facultate

La nivelul circuitului, functionarea tranzistorilor cu efect de camp este simpla. O tensiune aplicata pe poarta, elementul de intrare, controleaza rezistenta unei regiuni unipolare dintre sursa si drena denumita canal; intr-un dispozitiv de tip N, aceasta regiune este reprezentata de un material semiconductor dopat de tip N-, cu terminale la ambele capete. Sursa si drena sunt terminale echival[...]
DOWNLOAD REFERAT

Preview referat: Polarizarea tranzistoarelor cu efect de camp

La nivelul circuitului, functionarea tranzistorilor cu efect de camp este simpla. O tensiune aplicata pe poarta, elementul de intrare, controleaza rezistenta unei regiuni unipolare dintre sursa si drena denumita canal; intr-un dispozitiv de tip N, aceasta regiune este reprezentata de un material semiconductor dopat de tip N-, cu terminale la ambele capete. Sursa si drena sunt terminale echivalente cu emitorul si colectorul intr-un tranzistor bipolar. Cu alte cuvinte, sursa este locul de plecare al purtatorilor de sarcina, iar drena este locul inspre care acestia se deplaseaza.

Poarta este echivalenta bazei tranzistorului bipolar, iar in cadrul unui dispozitiv de tip N, este reprezentata de o regiune de tip P+ (dopata puternic) prezenta pe ambele laturi si in jurul canalului din centrul semiconductorului.
In figura de mai sus, este prezentat un tranzistor cu efect de camp cu jonctiune (JFET). Poarta constituie o jonctiune, si este polarizata invers pentru functionarea corecta a dispozitivului. Curentul dintre sursa si drena poate exista in ambele directii.

In figura alaturata este reprezentata zona de golire a jonctiunii portii, datorita difuziei golurilor din regiunea de tip P (poarta) in regiunea de tip N (canal). Aceasta difuzie duce la separarea purtatorilor de sarcina in zona jonctiunii si o zona de golire non-conductiva la jonctiune. Grosimea zonei de golire poate fi crescuta prin aplicarea unei tensiuni moderate de polarizare inversa (figura de mai sus(b)). Acest lucru duce la cresterea rezistentei canalului sursa-drena prin ingustarea acestuia. Cresterea in continuare a tensiunii de polarizare inversa duce la cresterea zonei de golire, scaderea grosimii canalului si cresterea rezistentei acestuia (c).

Peste un anumit nivel (d), tensiunea de polarizare inversa, VGS va bloca curentul prin canal, rezistenta acestuia fiind foarte mare. Tensiunea de blocare, VP este de cativa volti in majoritatea cazurilor. Pe scurt, rezistenta canalului sursa-drena poate fi controlat cu ajutorul valorii de polarizarea inversa a portii. Sursa si drena sunt interschimbabile, ceea ce inseamna ca exista posibilitatea deplasarii electronilor in oricare dintre directii pentru o tensiune mica a bateriei drenei (0,6 V). Cu alte cuvinte, bateria drenei poate fi inlocuita cu o sursa de tensiune scazuta in curent alternativ.
DOWNLOAD REFERAT
« mai multe referate din Fizica

CAUTA REFERAT

TRIMITE REFERAT CERE REFERAT
Referatele si lucrarile oferite de E-referate.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.
Confidentialitatea ta este importanta pentru noi

E-referate.ro utilizeaza fisiere de tip cookie pentru a personaliza si imbunatati experienta ta pe Website-ul nostru. Te informam ca ne-am actualizat termenii si conditiile de utilizare pentru a integra cele mai recente modificari privind protectia persoanelor fizice in ceea ce priveste prelucrarea datelor cu caracter personal. Inainte de a continua navigarea pe Website-ul nostru te rugam sa aloci timpul necesar pentru a citi si intelege continutul Politicii de Cookie. Prin continuarea navigarii pe Website-ul nostru confirmi acceptarea utilizarii fisierelor de tip cookie conform Politicii de Cookie. Nu uita totusi ca poti modifica in orice moment setarile acestor fisiere cookie urmarind instructiunile din Politica de Cookie.


Politica de Cookie
Am inteles